RYC002N05T316 دیتاشیت

RYC002N05T316

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RYC002N05T316
حجم فایل 69.706 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RYC002N05T316-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RYC002N05T316
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 26pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@200mA,4.5V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه